此技術將原本極度仰賴資深工程師經驗、常需耗時數月反覆模擬與調整的設計流程,大幅縮短至數分鐘內,即能生產可製造的晶片電路布局(點到點流程僅需約 6 分鐘),結合強化學習、逆向設計與擴散模型,並以 AI 模擬器將電磁模擬時間,從傳統分鐘至小時等級加速到「毫秒級」;不過團隊也指出,初始模型訓練階段仍需數天到一週。
為突破瓶頸,團隊首先以強化學習自主探索電路架構、拓撲與元件參數,再以 AI 模擬器快速預測任意 2D 結構的電磁行為,成功將模擬時間從傳統分鐘或小時級壓縮到毫秒級。接著,團隊將逆向設計與擴散模型結合:工程師只需輸入散射參數(scattering parameters,即 S 參數)當作目標規格,擴散模型就能直接產生對應的電磁結構。