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群聯、華邦電 啖AI記憶體升級紅利 旺宏 南亞科 力積電 5351鈺創 2495普安
2026.06.29
大型語言模型（LLM）與AI Agent快速發展，NAND Flash已由傳統儲存裝置升級為AI推論記憶體，需求重心轉向AI伺服器與Enterprise SSD。法人指出，HBM、DRAM容量不足，使Enterprise SSD承接部分KV Cache，帶動NAND需求大增。
在AI推動供需重整下，群聯（8299）受惠AI儲存基礎建設及Enterprise SSD需求，華邦電（2344）則受惠利基型DRAM、SLC NAND、NOR Flash及eMMC供給吃緊，成為AI記憶體升級受惠族群。
法人分析，AI伺服器已逐步形成HBM、DRAM、SSD及Shared Storage組成的多層次記憶體架構。大型語言模型高度依賴KV Cache，當HBM與DRAM容量不足時，部分Warm KV Cache將由Enterprise SSD承接，使NAND直接參與AI推論運算，而非僅扮演資料儲存角色。
以NVIDIA Vera Rubin平台估算，單台伺服器NAND容量需求可達1,152TB，Enterprise SSD已成為AI資料中心的重要基礎設施。
供給端方面，雖然美光、三星、鎧俠／SanDisk及SK海力士均已規劃擴產，但新增產能多數將於2027年後陸續開出，且優先投入Enterprise SSD、HBM及AI資料中心應用，短期內仍難以緩解NAND供給缺口。
另一方面，2023年至2024年間國際記憶體原廠縮減資本支出、降低投片並關閉部分成熟產線，也使DDR4、SLC NAND、eMMC及NOR Flash等成熟產品供給持續偏緊，市場價格主導權回到供應端，記憶體產業進入賣方市場。
在投資布局方面，法人看好群聯受惠AI Storage Infrastructure、Enterprise SSD、高容量SSD、PCIe Gen5／Gen6 SSD控制晶片、CSP客戶Design-in，以及AI PC與邊緣AI儲存需求同步成長，並可望享有NAND缺貨帶來的庫存價值重估效益。
至於華邦電，則受惠於利基型DRAM、SLC NAND、NOR Flash及eMMC供給吃緊。隨著國際大廠逐步退出成熟製程，車用、工控客戶對長供貨週期與高可靠度產品需求持續提升，加上AI伺服器帶動Code Storage及NOR Flash用量增加，華邦電可望同步受惠於價格彈性、產品組合改善及成熟製程供給真空等三大利多。 |
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