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標題: 利用霍爾效應來求載子濃度與移動率 [列印本頁]

作者: mythman 時間: 2015-4-15 19:54:11 標題: 利用霍爾效應來求載子濃度與移動率

若使用霍爾效應來量測載子濃度與移動率(P型與N型半導體)
若不考慮溫度等其他因素
則載子濃度n=IB/(eVw)
V為霍爾電壓，w為導體寬度
假若使流入半導體的電流I固定，可由外加磁場與霍爾電壓關係求出載子濃度
若改變流入半導體的電流呢？
就此關係式來講會變，但載子濃度不是與雜質濃度有關，所以就算改變輸入電流，載子濃度算出來應該一樣。
結果到底如何呀，網路上看都沒看到相關的問題
還有移動率u=v/E=Id/(neAV) (V是導體兩端電壓 d是導體長 A是截面積)
所以輸入電流變大移動率會變大嗎還是？
小弟對半導體不太熟
虛心受教!!

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