第三代半導體材料的代表碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)具備高效率、低能
耗、散熱快等特性，是5G、低軌衛星、高速運算、電動車等當紅應用必
備的零組件，未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、航太優勢，不
能忽視的關鍵技術，為兵家必爭之地。
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美
元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率(CAGR)達48％，長
期正向發展的態勢已成為市場的共識。
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資料來源: 元富期貨顧問部
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