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標題: 台積電加速興建2奈米晶圓廠資本支出不變 1560中砂家登晶呈科上品帆宣 [列印本頁]

作者: mojeku 時間: 2023-5-1 14:52:50 標題: 台積電加速興建2奈米晶圓廠資本支出不變 1560中砂家登晶呈科上品帆宣

台積電加速興建2奈米晶圓廠資本支出不變 1560中砂家登晶呈科上品帆宣

2023.05.01

於支援客戶中長期結構性需求，今年320億至360億美元資本支出計畫不變。設備業者分析，台積電資本支出7成用於先進製程，雖然市況低迷但仍維持投資金額不變，主要是策略上集中資源加快興建2奈米晶圓廠，拉開與競爭同業技術及產能差距。

台積電已經啟動2奈米技術研發並開始新晶圓廠興建計畫，2奈米晶圓廠預計會落腳在新竹與台中科學園區，共計有六期工程。根據台積電公布資料，台積電在竹科寶山二期興建的2奈米超大型晶圓廠Fab 20，將會興建第一期到第四期共四座晶圓廠，台積電正在爭取中科台中園區擴建二期開發計畫建廠用地，會再興建二座2奈米晶圓廠。

設備業者推估，台積電2奈米共六座晶圓廠的投資總金額將超過1,200億美元，約折合新台幣3.6兆元，會是台灣科技業有史以來規模最大的投資案，這也是台積電沒有調降今年資本支出的關鍵原因之一。台積電雖然面對地緣政治風險，已在中國、美國、及日本設廠，也計畫在歐洲投資，但台灣仍會是最先進製程的最優先選擇。至於2奈米進度部份，台積電在日前召開的2023年北美技術論壇中，宣布2奈米技術開發進展良好，在良率與元件效能上皆展現良好的進展，將如期於2025年量產。相較3奈米加強版N3E製程，2奈米在相同功耗下速度最快將可增加至15％，在相同速度下功耗最多可降低30％，同時晶片密度增加大於15％。

台積電2奈米將採用奈米層片（Nanosheet）的環繞閘極電晶體（GAAFET）架構，也可望成為業界首度採用高數值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影技術的先進製程節點。

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