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標題: NAND Flash市況6月復甦 8299群聯宜鼎 3260威剛力成南亞科華邦十銓旺宏 [列印本頁]

作者: mojeku 時間: 2025-2-26 14:43:07 標題: NAND Flash市況6月復甦 8299群聯宜鼎 3260威剛力成南亞科華邦十銓旺宏

NAND Flash市況6月復甦 8299群聯宜鼎 3260威剛力成南亞科華邦十銓旺宏

2025.2.26

慧榮總座苟嘉章預期下半年更佳，不排除供應吃緊

　NAND Flash控制晶片廠慧榮科技總經理苟嘉章預期，NAND Flash市況將於6月好轉，下半年表現將優於上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。

　苟嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。

　他強調，供應商根據市場狀況自然調節供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20％。

　美國商務部對出口至中國大陸的記憶體製造設備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。

　儘管中國大陸部分記憶體業已經提前採購設備，但是參數校正、設備維護與修繕的挑戰，將壓抑陸廠傳統DRAM產品產能快速擴充。

　因此，上游原廠為維持價格穩定，積極調整產能，尤其在NAND Flash領域，減產動作更為明顯，使得價格走勢相對樂觀。

　從需求端來看，苟嘉章對下半年市場持樂觀態度。他認為，工業應用市場沉寂許久，預期需求將由工控市場規格升級帶動，消費性需求則緊隨其後。

　其中，手機市場在中國大陸補貼政策與新興技術的推動下，需求優於預期。

　苟嘉章分析，AI技術快速發展為記憶體產業帶來新動能，DeepSeek等語言模型開發，使得企業發展AI不再完全依賴傳統輝達的CUDA架構，將加速邊緣AI技術的落地應用。

　此外，AI應用正從PC延伸到手機，例如騰訊已引入DeepSeek，加速產品創新並縮短開發周期。他預期，2026年手機品牌在AI應用上將百花齊放，進一步推動記憶體需求增長。

　慧榮正積極開發4nm的PCIe 6.0 SSD主控晶片。該產品計劃整合先進安全功能，並支持下一代3D TLC與3D QLC NAND閃存技術。

　苟嘉章透露，該項目2026年完成設計定稿（Tape out），將成為慧榮未來兩年的主力產品。

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