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標題: 舊世代記憶體缺貨 台廠受惠 力積電 愛普 華邦 旺宏 3135凌航 5351鈺創 晶豪科 [列印本頁]

作者: mojeku    時間: 4 天前     標題: 舊世代記憶體缺貨 台廠受惠 力積電 愛普 華邦 旺宏 3135凌航 5351鈺創 晶豪科

舊世代記憶體缺貨 台廠受惠 力積電 愛普 華邦 旺宏 3135凌航 5351鈺創 晶豪科

2025.10.08  

舊世代記憶體供應吃緊,韓系及美系DRAM原廠甫決定暫停一周對企業客戶的新報價,據供應鏈消息指稱,第四季DRAM報價漲幅有望擴大至3成以上,部分規格更可能突破5成,並進一步帶動DDR3同步上漲。

根據市場調查,未來三個季度DDR4供應缺口將達10~15%,後段封測產能瓶頸,也使情況更加嚴峻。

記憶體產業界大老分析,這次並非「部分規格」上漲,而是全面性缺貨帶動全線調價,預期第四季起,DDR4合約價將進一步上揚,平均漲幅介於30~50%,最有可能的上漲時點落在2025年第四季至2026年第一季。

由於價格波動劇烈,原廠目前再度暫停新報價,報價有效期從過去一季縮短至不足一個月,甚至可能每隔數周即調整一次。

市場法人指出,主流韓、美系原廠商再次暫停報價約一周,以觀察市場接受度後再重新開價,並進一步強化市場「供不應求」預期。

在這波漲勢中,台系廠商將成最大受惠族群。法人預估,南亞科第四季平均售價(ASP)可望上漲約20%,並於第四季轉虧為盈,較原預估提前一季。

法人亦看好華邦電、力積電、愛普*,主因包括DDR4/DDR3報價齊揚、NOR Flash供給吃緊與特規 DRAM獲利改善。

法人指出,NOR Flash第四季價格將再漲5%~10%,主要受IoT與穿戴式裝置需求推升。NAND 部分,SanDisk已與力積電洽談產能合作,顯示市場供應明顯緊縮。法人指出,隨著三星、SK海力士與美光等國際大廠持續將產能轉向高頻寬記憶體(HBM),舊世代DRAM(特別是DDR4、DDR3)與NOR Flash反而出現結構性供應缺口。




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