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標題: 記憶體漲價蔓延！三星海力士調高HBM3E報價20％南亞科華邦威剛鈺創群聯 2495普安 3135凌航 [列印本頁]

作者: mojeku 時間: 昨天 23:15 標題: 記憶體漲價蔓延！三星海力士調高HBM3E報價20％南亞科華邦威剛鈺創群聯 2495普安 3135凌航

記憶體漲價蔓延！三星海力士調高HBM3E報價20％南亞科華邦威剛鈺創群聯 2495普安 3135凌航

2025.12.24

韓國「朝鮮日報」24日報導，三星電子、SK海力士等記憶體供應商已上調明年HBM3E價格，漲幅接近20％。一般而言，在新一代HBM產品問世之前，供應商往往會下調前一代產品價格，因此本次漲價在業界較為罕見。

漲價背後，是供需兩端的共同作用。供應方面，記憶體廠商預計明年第六代HBM（即HBM4）需求將增加，加大對其產能投入，導致HBM3E產能遭積壓。需求方面，除了輝達之外，來自Google、亞馬遜等公司的訂單量也大幅增加。

其中，輝達H200晶片每顆搭載6顆HBM3E；搭載HBM3E的谷歌第七代TPU和亞馬遜Trainium將於明年開始出貨，兩款產品HBM搭載量均較上一代產品增加約20％至30％，前者每顆搭載8顆HBM3E，後者搭載4顆HBM3E。

KB Securities指出，由於ASIC需求激增，以ASIC為主要客戶的三星，2026年HBM總出貨量將有望較2025年暴增3倍，預估將達111億Gb。且其預計明年HBM市場的營收比例將為HBM4占55％、HBM3E占45％；從明年第三季起，HBM4將快速吸收HBM3E的需求。

值得注意的是，美光在上週的業績會上，也對HBM給出樂觀預期。公司高層透露，公司2026年（日曆年）全年HBM的供應量已就價格和數量與客戶達成協議，全部售罄。預計HBM總潛在市場（TAM）將在2028年將達到1,000億美元（2025年為350億美元），複合年增長率約40％。美光預計2026年資本支出將達200億美元，用於支援HBM和1-gamma DRAM供應。

招商證券表示，預計記憶體產業後續DRAM和NAND資本開支將會持續成長，但對2026年產能輔助有限，預計2026年DRAM和NAND資本開支分別年增長14％和5％，但擴充次序還是優先AI高端記憶體，NAND類相對靠後。

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