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標題: 記憶體爆地獄級缺貨」AI越強依賴升高.延續至2027 南亞科鈺創威剛群聯 2495普安 [列印本頁]

作者: mojeku 時間: 昨天 21:15 標題: 記憶體爆地獄級缺貨」AI越強依賴升高.延續至2027 南亞科鈺創威剛群聯 2495普安

記憶體爆地獄級缺貨」AI越強依賴升高.延續至2027 南亞科鈺創威剛群聯 2495普安

2026.01.11

AI應用帶動記憶體需求暴增，三星、SK海力士及美光三大記憶體原廠，因產能受限、毛利率鎖定在六成以上等因素，難提高供給量，市場形容記憶體「地獄級缺貨」來襲，可能一路延續至2027年底。

AI模型規模放大，對高頻寬、高密度記憶體的依賴升高，使DRAM與NAND從過往的成本型零組件，轉為左右AI運算效能的關鍵資源，推動產業進入長周期的「記憶體超級循環」。

價格上，法人預期，2026年是記憶體報價全面爆發的一年。以原廠混合產品平均單價（blended ASP）估算，三星2026年DRAM平均售價年增幅度可達84％，SK海力士約75％，NAND ASP年增幅度亦高達71％。

從庫存結構觀察，目前DRAM原廠成品庫存僅約四～五周，主要客戶端庫存約七～九周；NAND方面，Client與eSSD庫存僅五～九周。法人指出，在需求持續增溫的背景下，整體市場幾乎沒有緩衝空間。

需求端方面，Agentic AI與推論工作負載快速成長，推升雲端服務供應商（Hyperscaler）資本支出。法人預估，2026、2027年將分別年增45％與13％，其中，約四成投入運算硬體，拉高伺服器端對高階記憶體的需求。

供給面來看，原廠資源高度集中於HBM，使非HBM DRAM產能擴張受限。法人預估，2026～2027年非HBM位元供給年增率低於12％。HBM方面，由於HBM4晶片尺寸較HBM3E放大約16％，且HBM4E朝16～20層堆疊發展，製程複雜度與良率挑戰同步升高，法人認為，HBM供給吃緊狀況恐一路延續至2027年。

更關鍵的是，原廠定價策略已全面轉向「毛利率導向」。市場傳出，三星、SK海力士與美光均以至少60％毛利率作為定價底線，使記憶體價格完全由三大廠主導。據最新研調機構預估顯示，SK海力士2026年毛利率呈現逐季墊高至63％、64.5％、65％的走勢，形成「60％就是地板」的新常態，整體記憶體一線廠毛利率，已高於台積電。

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