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標題: 請問MOSFET [列印本頁]

作者: 狂小小 時間: 2010-3-23 22:58:46 標題: 請問MOSFET

請問一下~MOSFET的n-channel和p-channel的工作特性和規格

謝謝囉

《本帖最後由 狂小小 於 2010-3-23 22:59 編輯》

作者: kazima 時間: 2010-3-24 02:24:34

簡而言之
N通道的MOSFRT本身在源級與汲極之間無通道,所以源極與汲極之間不導通,這時如果在閘極外加一大於臨界電壓的偏壓,即可在源極與汲極之間產生通道,促使源極與汲極導通,如果閘極外加偏要小於臨界電壓,則可以控制通道的寬度,進而達到控制電流的目的
P通道的MOSFET剛好與N通道的相反,他本身在製作時就已經外加通道在源極與汲極之間,這時給予閘極一個偏壓(忘記是正值還是負值),即可促使通道關閉,阻斷源極與汲極之間的導通

N-MOS比較常用到,畢竟比較符合人使用的習慣,P-MOS比較少用(幾乎是已經快被淘汰掉了),要不是我在上課時有特別問老師有關P-MOS的事,不然我們老師幾乎是等於跳過P-MOS的部分了

至於規格的話,請你自己去網路上面的各大規格書查詢網站查詢,如果需要網址的話,請PM我

p.s.去多看點書啦,或是上課專心點,這種問題書上都有標準答案

《本帖最後由 kazima 於 2010-3-24 02:30 編輯》

作者: blackhole 時間: 2010-3-28 12:28:59

樓上好像有點錯誤喔
N通道(n-channel)和P(p-channel通道是指，他在BODY裡因為VGS所產生的電壓推開載子後形成的通道裡面的載子的種類。

而樓上大大說的有沒有通道那個是空乏型(depletion type)和增強型(enhancement type)。
空乏型的一開始就有打近一個通道，用外加電壓把他關掉。
增強型一開始沒有通道，需要外加VGS把他打開。

PS:
P-MOS比較少用到的原因是因為電洞的導電速度比較慢，跟不上現在晶片的速度
電洞的擴散常數為Dp=12 (cm^2/sec)
電子的擴散常數為Dn=34 (cm^2/sec)

參考文件:
Sedra/Smith Microelectronic Circuits 5 edition
就是萬惡的史密斯電子學拉= =b

《本帖最後由 blackhole 於 2010-3-28 12:30 編輯》

作者: kazima 時間: 2010-3-28 20:40:59

歹勢啦~~~~~~
我有去查書了,原來真的是我搞錯了
樓上的大大不錯,有前途喔~~~~

作者: blackhole 時間: 2010-3-29 03:54:58

哎呀，專有名詞這麼多
誰都馬會記錯
像你這樣肯一直問老師的學生也不多@@
有前途= =b~

作者: chko57 時間: 2010-5-6 19:21:37 標題: 回覆 #1 狂小小的帖子

P-MOS比較少用到的原因是因為電洞的導電速度比較慢，跟不上現在晶片的速度
電洞的擴散常數為Dp=12 (cm^2/sec)
電子的擴散常數為Dn=34 (cm^2/sec)

現在明明大多是 CMSO製程?
為何會說 P-MOS 比較少用??

CMOS => P-MOS + N-MOS = Inverter

作者: kazima 時間: 2010-5-9 19:06:55

原帖由 chko57 於 2010-5-6 19:21 發表
P-MOS比較少用到的原因是因為電洞的導電速度比較慢，跟不上現在晶片的速度
電洞的擴散常數為Dp=12 (cm^2/sec)
電子的擴散常數為Dn=34 (cm^2/sec)

現在明明大多是 CMSO製程?
為何會說 P-MOS 比較少用??

CMOS => P-M ...

我們指的是純的P-MOS電晶體真的是很少用到了，畢竟兩種N-MOS的特性就已經足夠一般放大或驅動使用，沒有必要再去使用P-MOS，至於CMOS的話，那是IC的製程，為了降低待機功耗，勢必要有效運用能量載子（電子或電洞）

就像電晶體BJT一樣，有時為了整個電路的單純化與成本，PNP電晶體都會使用NPN電晶體下去替代的情況也會出現，而且說實在的NPN在使用上比較貼近人性

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