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柯明道、 林昆賢
簡 介:
本專利針對具有省電模式功能之積體電路提出創新的靜電放電(ESD)防護設計。此靜電放電防護電路架構可有效地克服國外半導體大廠已提出方法的缺點,在積體電路進入省電模式操作下,此電路架構具有極低的漏電流且不會造成內部電路誤動作的發生;此電路架構同時考慮到全晶片靜電放電防護設計,因此晶片具有非常高的靜電放電耐受度。此外,此靜電放電防護電路架構在實施上簡單容易且不需要佔用過多的佈局面積,因此應用本專利之積體電路產品可在市場上具有極高的競爭力。
發明人簡介:
本專利第一作者–柯明道,交通大學電子研究所博士,現任職交通大學電子工程學系暨電子研究所教授。柯教授在積體電路之靜電放電防護技術領域,已經累計發表超過250篇研究論文於國際著名學術期刊與國際技術研討會中,已經獲證之各國專利累計超過兩百件,其中包括中華民國專利109件以及美國專利95件。並已成功協助國內外數百家積體電路與半導體產業公司解決靜電放電防護之各類問題。在積體電路之靜電放電防護技術領域,柯教授已是國際級著名專家。
有鑑於國內電子產業靜電放電問題的日漸嚴重,柯教授於2001年領導成立「中華民國靜電放電防護工程學會」,並獲選為該學會理事長,多次舉辦台灣靜電放電防護技術研討會與技術論壇,協助台灣電子產業工程人員提昇產品品質與可靠度。
柯教授曾獲得「工研院 研究成就獎–個人獎」,「交通大學 教師研究獎」,多次宏碁基金會「龍騰論文獎」,經濟部「創新技術獎」,多次入選世界名人錄(Who’s Who in the World),並當選「中華民國第四十一屆十大傑出青年–科技發展類」。
林昆賢,交通大學電子研究所博士,現任職工研院系統晶片技術發展中心工程師,專長為靜電放電防護電路設計。
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