算力引爆供需博弈 高盛：記憶體超級周期預計持續至2027 2495普安 鈺創 群聯 威剛 旺宏 南亞科 華邦 力積電 8110華東

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算力引爆供需博弈 高盛：記憶體超級周期預計持續至2027 2495普安 鈺創 群聯 威剛 旺宏 南亞科 華邦 力積電 8110華東

2026-04-14

據格隆匯報導，全球科技巨頭爭奪算力的背後，記憶體晶片正上演一場史詩級的供需博弈。由人工智慧 (AI) 算力需求引爆的記憶體晶片超級周期，正以前所未有的強度席捲全球產業鏈。

高盛也在近期發布報告，表示全球記憶體正面臨史上最嚴重的短缺，全球產能至少已經鎖死至 2027 年。

價格狂飆與供需失衡
記憶體晶片市場的價格曲線正呈現垂直上衝態勢。DDR5 一季度的實際漲幅比市場預期高出 23 個百分點，且研究機構預測二季度將維持 37% 的高增長。隨著 DDR5 成為高端數據中心與 AI 服務器的標配，記憶體晶片正正式步入「奢侈品」行列。

這種價格暴漲源於供應短缺的自我強化：未能滿足的需求會自動「滾動」至後續季度，進一步加劇緊張局面，傳統的行業周期律已然失效。

長期協議改寫遊戲規則
面對不確定的供應環境，超大規模雲服務商正與供應商簽署 3 到 5 年的長期協議 (LTA)，計畫鎖定 50% 以上的採購量。此舉對採購方而言可確保算力組件供應穩定並平滑價格波動；對供應商如三星、SK 海力士而言，則保障了未來數年的產能與利潤，使其能從追逐短期波動轉向穩定的盈利模式。

HBM：AI 皇冠上的明珠
在這場盛宴中，高帶寬內存 (HBM) 成為巨頭競相爭奪的戰略資源。預計到 2026 年，三星將佔據 60% 的 HBM 市場份額，SK 海力士佔 30%。為了搶佔下代 HBM4 的技術高地，廠商正將產能從 NAND 轉向 DRAM，這也導致了 NAND 閃存供應的「被動式」緊張。

周期延長與潛在隱憂
由輝達 GPU 等產品驅動的指數級需求，預計將使 DRAM 的上行周期持續至 2027 年第四季度。屆時，儲存市場規模有望衝擊 1.2 兆美元。

然而，繁榮之下仍有隱憂：需求高度集中於少數雲巨頭，且 HBM 價格的過快上漲 (2027 年漲幅或達 40%) 可能觸及客戶的可負擔極限。