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[股票] 英特爾大馬建新廠衝先進封裝 較勁台積 3583辛耘 1560中砂 弘塑 萬潤 鈦昇 [複製連結]

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發表於 2023-8-23 08:26:19 |只看該作者 |倒序瀏覽
英特爾大馬建新廠衝先進封裝 較勁台積 3583辛耘 1560中砂 弘塑 萬潤 鈦昇

3D Foveros產能拚增四倍 一條龍生產實力大增 與對手競爭將更激烈

2023/08/23

英特爾積極投入先進製程研發之際,在先進封裝領域同步火力全開,正於馬來西亞檳城興建最新封裝廠,強化2.5D/3D封裝布局版圖,22日更喊出2025年時,旗下最先進的3D Foveros封裝產能將較目前大增四倍,同時開放讓客戶也可以只選用其先進封裝方案。

外界預期,英特爾結合先進製程與先進封裝能量後,「一條龍生產」實力大增,在晶圓代工領域更具競爭力,與台積電(2330)、三星等勁敵再次槓上,未來三雄在晶圓代工市占率版圖之爭將更有看頭。

英特爾先進封裝布局概況
英特爾先進封裝布局概況
同時,英特爾自家先進封裝能力更壯大,並喊話開放讓客戶只選用其先進封裝方案後,預料也會掀起封測市場騷動,須密切關注對日月光、艾克爾等專業半導體封測廠的衝擊。

台積電、三星都積極布建先進封裝技術。台積電方面,主打「3D Fabric」先進封裝,包括InFo、CoWoS與SoIC方案;三星也發展I-cube、X-Cube等封裝技術。

英特爾不落人後,其先進封裝包括2.5D EMIB與3D Foveros方案。半導體三雄的競爭態勢從晶圓代工領域,一路延伸至先進封裝。

英特爾從2017年開始導入EMIB封裝,第一代Foveros封裝則於2019年推出,當時凸點間距為50微米。預計今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake處理器,則將利用第二代Foveros封裝技術,凸點間距進一步縮小為36微米。

英特爾並未透露現階段其3D Foveros封裝總產能,僅強調除了在美國奧勒岡州與新墨西哥州之外,在未來的檳城新廠也有相關產能建置,這三個據點的3D封裝產能合計將於2025年時增為目前的四倍。

英特爾副總裁Robin Martin 22日受訪時強調,未來檳城新廠將會成為英特爾最大的3D Foveros先進封裝據點。

英特爾二年前宣布投資35億美元擴充新墨西哥州的先進封裝產能,至今仍進行中。至於檳城新廠,該公司表示,興建進度符合計畫,外界推估,該新廠可能於2024年稍晚或2025年完工運作。

值得注意的是,除了晶圓代工與一條龍延伸到封裝服務,英特爾表示,開放讓客戶也可以只選用其先進封裝方案,目的是希望讓客戶可以更能擁有生產彈性。

英特爾在執行長基辛格帶領下,推行IDM 2.0策略,除了增加自家晶圓廠產能,擴大晶圓代工業務,同時也希望彈性利用第三方的晶圓代工產能。

隨著先進製程演進,小晶片(Chiplet)與異質整合的發展趨勢明確,外界認為,英特爾的2.5D/3D先進封裝布局除了強化自身處理器等產品實力之外,也是其未來對客戶爭取更多晶圓代工服務生意的一大賣點。
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