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三星HBM4技術領跑 明年獲利可觀 華邦電、威剛 宜鼎 3135凌航 群聯 鈺創 南亞科 力積電
2025.11.25
摩根士丹利（大摩）發布最新報告指出，鑒於三星電子在高頻寬記憶體（HBM）領域的技術領先，這不僅將成為三星股價重要催化劑，也讓其明年獲利有望暴增逾150％。
大摩表示，三星憑藉1c DDR5前端技術、4nm邏輯基礎晶粒與低功耗優勢，在HBM4產品表現與超過11Gbps規格上具技術領先地位，加上涵蓋DRAM、代工與封裝的端到端生產能力，有望快速擴大市占。
在供應面，三星DRAM有效產能達50萬片、月總產能約65萬片，遠超競爭對手，使其再度掌握記憶體市場主導權。DRAM訂單履約率目前僅約70％，能見度已延伸至2026年上半年。
報告也指出，儘管三星在供給端握有龐大優勢，但公司管理層刻意採取「更理性」策略，不一味追逐市場熱潮，而是選擇與關鍵客戶合作，按照真實需求調整供給；旗下P4廠房超過10萬片／月的設計產能，更為DRAM與代工兩大業務預留充足擴張空間。
此外，三星代工業務亦出現回溫，2nm製程接獲多筆訂單，利用率改善帶動獲利回升，雖然產量仍需逐季提升，且尋求特斯拉以外的大客戶仍是當前首要任務。
大摩認為三星代工業務「最壞時刻已過」，在供給吃緊的環境下，三星已經具備更強的定價能力，它預估2026年每股盈餘（EPS）將達14,464韓元，較目前市場共識的9,800韓元高出將近50％，若以2025年為基期，獲利更有望暴增超過150％。 |
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