徐清祥.沈士傑.何明洲

49太歲

徐清祥 沈士傑 何明洲

簡 介：

本發明主要包含單一複晶矽單一次寫入非揮發性記憶體元件之結構以及元件之操作模式。根基於此基礎，力旺電子已依業界實際之製造方法，將概念性的元件實現於實體中，確認該發明之可用性、可靠度與性能。將其與就現有技術進行比較，本發明具備有下列多重特質:

1.相較於現有產業技術之single poly結構，在不同製程技術下呈現之cell size，顯見本發明為最小的單一複晶層非揮發性記憶體元件。
2.本發明技術，可在不改變任何現有製程下，提供線路設計者一項嶄新的線路記憶功能。對於任一使用此一技術之線路設計者而言，該記憶體技術提供使用者一個嶄新但與現有製程幾乎相同之製程技術，可在不改變現有設計的狀況下，開發出新的產品功能。
3.高相容性，可應用於任何半導體製程 (Logic、Analog、M-M、HV、EEPROM、DRAM製程..等)
4.可縮小性，可隨著製程技術的提昇而大幅縮小其尺寸
5.可靠且快速的寫入特性
6.高可靠度
7.低成本


本發明技術乃一嶄新的電子元件架構，可新增該製程下產品之資料儲存功能，特別對於通用型微控制器之應用，可以大幅縮短其交貨時程、減低庫存與強化競爭力，相較ROM, EPROM, Flash等現行記憶體技術，於製程彈性、編程彈性、庫存量、交貨期程、售後服務、技術開發時程、晶圓廠移轉彈性等特性均具有顯著優勢，相對提昇產品品質與附加價值。