張慶裕

49太歲

張慶裕


簡 介：

半導體製程的瓶頸技術‚大多決定在黃光微影製程‚最小關鍵尺寸(critical dimension CD)曝得出‚才可進行後續製程。關鍵尺寸的成像與曝光條件、光阻條件和微影整合的技術有關‚唯有最佳化之光學光阻整合條件‚才能在產能、技術與成本上取得優勢。

本發明專利便是兼具光學與光阻之最佳化整合技術‚本發明技術同時解決黃光微影製程中‚光學解析極限與光阻層不能重疊兩問題‚使黃光微影整合技術得以創新。本發明主要精神‚在於利用既有機台硬化光阻‚克服雙層光阻互溶問題‚在技術上達成不同光阻圖案密度之關鍵尺寸大小可達一致‚景深DOF(depth of focus) 加大‚使不同圖案密度光阻圖形之間無CD bias, DOF及proximity上的差異‚得以使用一般曝光機台生產出下一代曝光機台才能曝出的成像品質。而本發明專利最先著眼於解決記憶體產品編碼製程關鍵技術問題‚為此領域之領先開拓者‚之後並且持續開發出十篇不同方法但相同編碼目地之發明專利‚完成專利地圖之佈署‚確保我國在此領域之優勢與領先地位。

本發明確立雙層光阻製程之可行‚使新的雙層光阻圖形排列組合所產生出新的半導體微影技術得以早一步突破並實現。本篇所揭露之發明技術‚解決248nm波長光源在0.15um及0.13um微影製程上所遭遇之困難‚而基於本技術精神之延伸再發明光阻材料‚更可直接形成於傳統光阻圖案上‚進一步節省製造成本‚成為193nm波長光源奈米製程的備份選項。
   

發明人簡介：
張慶裕
台灣宜蘭人。
至今11年餘半導體經歷‚曾負責過晶圓清洗、控片回收、溼式蝕刻、爐管、微影等製程設備材料之開發‚目前擁有中華民國專利 118件‚美國專利140件‚申請中40餘件。