記憶體價格續燒 南亞科獲外資大升至245元 威剛 華邦 群聯 5351鈺創 3135凌航 3495普安

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記憶體價格續燒 南亞科獲外資大升至245元 威剛 華邦 群聯 5351鈺創 3135凌航 3495普安

2026.01.05

記憶體產業去年第四季營運可期，展望2026年，日系外資發表最新全球記憶體報告，圍繞著由AI、數據中心、標準型記憶體等驅動的超級循環，價格漲幅將在今年延續，DRAM在去年下半年供不應求情況加劇，NAND今年上半年供應將更加緊張，樂觀狀況可望優於市場預估，而HBM增長穩健，且主要廠商差距縮小。日系外資重新確認記憶體產業正面觀點，將三星Samsung Electronics(005930 KS)列為首選，並全面上調廠商目標價，其中南亞科(2408)目標價從120元大升至245元，維持買進(BUY)投資評等。

由於強勁的AI數據中心需求和持續的供應限制，記憶體價格目前的上升趨勢將在2026年持續。外資進一步預計，受到商品化記憶體供應短缺，記憶體廠商在2025年第四季至2026年第一季的平均售價大幅上漲，推升2026年獲利數據強悍。記憶體廠商也正積極進行投資，包括HBM4、標準型DRAM為中心的產能擴張。

人工智慧/資料中心驅動的記憶體需求，將推動HBM、伺服器DRAM及資料中心儲存需求大幅增加，也預計因AI伺服器中LPDDR5採用擴大而導致的行動DRAM短缺，將推動2025年第4季至2026年第1季的平均銷售價格回升，其中2025年第4季伺服器DRAM平均銷售價格預估將季增超過50%，此前記憶體現貨價格在10月份大幅上漲，亦導致各產品平均銷售價格上升。

記憶體廠商的庫存水平吃緊，2025年下半年DRAM供應短缺加劇，隨後2026年上半年NAND供應也將緊張。2026年DRAM和NAND位元需求預估分別成長21.7%和19.7%，DRAM市場規模可望達到2750億美元，年增長94%；而NAND市場則預計在2026年增長102%。

至於HBM市場，2026年ASIC AI驅動的HBM市場，評估市場規模將達到591億美元、年增49%，位元出貨量在2026年預估年增42%，這主要由於ASIC AI的規格升級所驅動。並預計在2026年下半年，隨著Rubin GPU平台的帶動，HBM4的供應轉移將加速，並且HBM4型號將會依據速度規格進行細分。雖然預期SK海力士將保持主要供應商的地位，但也預期主要廠商之間的技術差距正在縮小，三星在HBM4中將重新取得地位。

外資也點出，記憶體廠商在2026年將改變產品組合策略，包括伺服器和消費者DRAM在內的通用記憶體的獲利能力，可能將超過HBM的獲利能力。

外資重申對全球記憶體的正面產業觀點，但也擔憂三大下行風險，首先由於電力供應問題，主要超大規模雲端營運商延遲或暫停資料中心供應；次之包括供應商融資在內的IT廠商出現融資問題導致市場泡沫破裂；最後為延燒的記憶體平均售價(ASP)上升可能導致額外的需求放緩。

日系外資全面上調記憶體廠商目標價，首選三星，同時看好SK海力士和Kioxia。其中Samsung Electronics (005930 KS)目標價從132000上修至165000韓元、SKHynix (000660 KS)從700000至825000韓元、Micron Technology (MU US)從200美元至350美元、南亞科從120元上修至245元。