北美半導體設備出貨連14月成長 3680家登 6196帆宣 漢唐 信紘科 可雨露均霑

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北美半導體設備出貨連14月成長 3680家登 6196帆宣 漢唐 信紘科 可雨露均霑

工商時報 2020.12.19


國際半導體產業協會（SEMI）發布11月北美半導體設備出貨金額達26.12億美元、年增23.1％，繳出連續14個月年成長成績單。法人指出，由於晶圓代工大廠及記憶體大廠持續加碼投資，使設備需求不斷提升，預期2021年設備有望更上一層樓。

SEMI公布最新報告，2020年11月北美半導體設備製造商出貨金額為26.12億美元，雖較2020年10月最終數據的26.48億美元相比降低1.4％，不過已經寫下連續14個月出貨金額年成長的亮眼水準。

SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，美國半導體設備製造商出貨在2020年秋天創下新紀錄高點後，儘管市場預期出貨量將縮減規模，11月的出貨數據仍表現強勁。

法人指出，目前台積電、三星等晶圓代工大廠及國際IDM大廠在先進製程布局腳步不斷，從先前的7奈米製程，到現在的5奈米製程，且未來更加推進到4奈米甚至是3奈米製程，當中需要使用到大量的極紫外光（EUV）曝光機，因此在設備需求上未來將持續成長。

事實上，根據台積電已經宣布的建廠計畫來看，預定將在南科Fab 18廠的4～6期建立超大型晶圓廠（GigaFab），當中部分廠區將會在2022年開始量產3奈米製程，竹科寶山土地將會興建2奈米製程的超大型晶圓廠，設備業者可望搶下不少商機。

至於在記憶體市場部分，三星、SK海力士及美光等DRAM大廠開始向前推進到1z及1a等次世代DRAM技術，同樣需要使用EUV設備用在曝光製程，屆時將會推動DRAM大量採購設備需求，NAND Flash的3D製程則開始邁入200層以上的堆疊技術，使NAND Flash廠於2021年設備採購規模上可望優於2020年水準。

由於半導體大廠對於2021年投資力道將可望高於2020年，因此法人看好，半導體設備製程及廠務等相關供應鏈2021年業績將有望更上一層樓。其中包含極紫外光光罩盒（Pod）廠家登（3680）、負責EUV設備模組代工及廠務設備的帆宣（6196）、半導體廠務漢唐（2404）及信紘科（6667）等相關供應鏈都可望因此雨露均霑。

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3406玉晶光 12月可望不淡

2020年12月20日

【時報-台北電】玉晶光（3406）11月合併營收18.07億元，以月增9.3％，創今年單月次高，另累計前11月營收也以144.31億元、年增32.3％，拿下歷史新高，展望12月，亦可望保有淡季不淡的力道，營收連兩季締新猷可期。

玉晶光基本面看漲，不料法人不捧場，硬是祭出連十賣，拖累玉晶光股價持續測底，惟在560元附近形成短底後，18日三大法人終於轉賣為買，出現797張買超，也成功帶動18日股價以579元作收、上漲3.02％，因短線跌深，仍難扭轉周線收黑的命運，不過周跌幅已收歛至1.86％

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3680家登 獲列為MSCI全球小型指數成分股，Q4出貨增溫 本業營運看旺

2020/12/01

晶圓傳載方案業者家登（3680）獲列為MSCI全球小型指數成分股，外資近三天共計買超575張。家登在業外挹注下，第三季獲利創新高；第四季出貨可望逐步增溫，本業營運看旺。


家登第三季本業營運比第二季下滑，但隨著晶圓代工龍頭及國際IDM大廠重啟拉貨，家登本季EUV Pod可望回復銷售動能，明年展望也持續樂觀。

EUV成為半導體主流微影製程，台積電5奈米製程量產，光罩層數大幅增加，對EUV Pod的需求量同步增加，家登可望受惠，公司並看好明年展望。

MSCI日前半年度權重調整，全球小型指數新增家登等25檔，於11月30日收盤後生效，外資單日買超417張，帶動股價逆升，今早則是衝上300元後壓回整理。

家登第三季合併營收降至5.58億元，但受惠於業外獲利挹注，歸屬母公司稅後淨利3.57億元創下新高，每股淨利4.85元。2020年前三季合併營收17.88億元，年成長7.9%，平均毛利率34.4%，較2019年同期增加3.8個百分點，營業利益1.22億元，年減19.7%，歸屬母公司稅後淨利4.88億元，與2019年同期相較成長59.6%，每股淨利6.6元。

家登今年第四季及明年第一季半導體本業看好，此外，家登通過AS9100D航太認證，跨足航太產業，發展航太零件精密加工技術，2021年可望展現成

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艾司摩爾新EUV設備 台廠有望搶先用 台積電 3680家登  6196帆宣

2020-12-07

艾司摩爾（ASML）因應半導體3奈米往下精進兩代製程需求，訂下2022年極紫外光（EUV）設備將再進化的目標，預計該款下世代秘密武器最快2022年推向市場。市場預料，台灣廠商有望領先韓系廠商採用。

艾司摩爾亞太區策略行銷高級總監Boudewijn Sluijk接受訪問時提到，目前該公司EUV設備已協助客戶5奈米大量生產，隨著下世代製程持續微縮，系統必須更精準、速度更快，艾司摩爾已和客戶合作著手下世代EUV微影系統（又稱High-NA EUV）開發。

Boudewijn Sluijk說明，目前EUV至少可支援至3奈米，下世代的EUV則是應對未來往下兩代的製程升級所需，不論客戶對相關製程代號為何，在3奈米未來的下二世代的最先進製程當中，High-NA的EUV系統更能支援客戶需求。

數據顯示，下世代EUV系統將具備創新的光學設計，其光學模組由4萬4,000個零件組成，因此體積將比現行EUV系統的光學模組還大。在解析度與疊對精度上，下世代系統也將提高40%。

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