第三代半導體國產化起跑 4億扶3廠 3016嘉晶 3707漢磊 環球晶 朋程 1560中砂

mojeku

第三代半導體國產化起跑 4億扶3廠 3016嘉晶 3707漢磊 環球晶 朋程 1560中砂

2022年4月24日

在電動車、5G通信、低軌衛星浪潮下，第三代半導體（化合物半導體）成為新的兵家戰場，但目前這塊技術與材料掌握在國外大廠手中，政府今年起將啟動國產化計畫，扳回劣勢。經濟部預計撥出4億，5月起先補助2家半導體廠研發8吋碳化矽長晶生產設備，再補助1家8吋氮化稼磊晶設備廠，目標2024、2025年「開花結果」，讓化合物半導體設備國產化，不仰人鼻息。

大家熟知的護國神山台積電的矽晶圓，屬於第一代半導體，第2代砷化鎵（GaAs）主要用在射頻元件，第三代半導體，國內俗稱為化合物半導體，則是近兩年最夯的新世代產品，主要是碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種晶圓材料，因其高速、抗高電壓的特性，成為高頻通訊及動力電子元件所需。

台灣雖是半導體大國，第三代半導體應用技術與材料，卻不在我們手上。經濟部工業局官員說，這市場還在發展階段，不管是晶體生長、晶片切割，到後端的鍍膜製程，主要在美國科銳、貳陸、日本羅姆等幾家大廠手上。

國內廠商雖具備4吋及6吋化合物半導體長晶設備能力，但設備自製率、生產良率都偏低。面對下一個主流是8吋市場，市場預期可能提早到2023年就要開打，對台有時間壓力。為了加速8吋碳化矽設備自製能力，經濟部規畫分年編4億，啟動「化合物半導體設備發展推動計畫」，預計在上游的碳化矽晶圓預計補助2家、中游的磊晶與晶片製造1家，扶植3家達成自製能力。

首階段重點是培養國內自製8吋碳化矽長晶爐設備，5月要挑國內2家半導體廠，分別是導電型與絕緣型各一家，每家補助一半研發經費，最高1.5億。

長晶設備是生產晶錠的基礎，經過切割後，才能在基板上做成磊晶。因此今年也會收件補助1家8吋氮化稼磊晶設備廠，最高1億。經濟部表示，挑選重點為，須在技術層級有超越國內業界水準，且具有市場接單能力。

官員說，計畫目標在2024、2025年前能開花結果，建立碳化矽設備的國產化能力，「政府要集中資源，推廠商一把！」

除了長晶爐與磊晶設備國產化，經濟部技術處長邱求慧表示，該處也跟雷射中心合作，研發用於化合物半導體的雷射加工設備。另跟法人研發應用於電動車的碳化矽元件，預計4年內有成果，移植給國內廠商，建立國產能力。

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ASML大擴產2025由70拉高至90台 台供應鏈吃補 3680家登 帆宣 公準 意德士 翔名

工商時報  2022.04.26

全球半導體廠今年拉高資本支出擴大先進製程及成熟製程產能，關鍵微影設備大缺貨，交期長達24～30個月，艾司摩爾（ASML）上周法人說明會中宣布將啟動大擴產計畫，同步提高極紫外光（EUV）及深極外光（DUV）產能。其中，0.33數值孔徑（NA）EUV曝光機今年55台出貨目標可望達成，2025年產能目標將由原本預估的70台拉高至90台。

ASML今年產能已全滿，設備供不應求情況會延續到明年之後，在手訂單已排到2023年下半年。法人看好家登（3680）、帆宣（6196）、公準（3178）、意德士（7556）、翔名（8091）等ASML供應鏈合作夥伴今年營運續締新猷，且接單量能可望逐年大幅成長到2025年。

雖然包括俄烏戰爭及中國疫情封城等外在變數已衝擊消費性電子銷售，但車用及工控等晶片需求持續轉強，半導體產能仍然供不應求，包括台積電、英特爾、三星、聯電等均拉高資本支出積極擴產。ASML執行長溫彼得（Peter Wennink）在法說會中表示，市場對於先進和成熟製程節點的需求持續強勁，EUV及DUV曝光機訂單及出貨需求仍高於目前產能。

溫彼得說明，雖然當前的總體經濟環境仍充滿不確定性，但客戶在先進製程及成熟製程的擴產動作並未放緩，ASML今年EUV機台出貨目標55台，DUV機台出貨目標240台。其中，目前DUV機台產能只能滿足60％訂單，未出貨在手訂單已超過500台，新訂單交期長達兩年。

ASML原本預期至2025年EUV機台年產能將達70台，DUV機台年產能達375台，但法說會中指出將大幅拉高產能，至2025年EUV機台年產能預計將提升至90台，DUV機台希望可拉升至600台。同時，ASML預期0.55高數值孔徑（High-NA）EUV曝光機在2025年可認列5台營收貢獻，2026～2027年的年產能計畫擴增達20台。

ASML正在尋求供應鏈合作夥伴的產能支援，以達到2025年的擴產目標，相關擴產計畫將會在今年第四季對外說明。法人指出，帆宣與ASML合作多年並承接次系統模組代工訂單，公準提供精密零組件，意德士晶圓真空吸盤供應商，翔名提供黃光製程備品耗材，家登是最大的極紫外光光罩盒（EUV Pod）及晶圓傳送盒供應商，可望直接受惠。