記憶體大升級！HBM、3D DRAM、客製化台廠搶進 南亞科 華邦 3260威剛 群聯 鈺創 3135凌航

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記憶體大升級！HBM、3D DRAM、客製化台廠搶進 南亞科 華邦 3260威剛 群聯 鈺創 3135凌航

2025.09.20  

全球記憶體產業正進入結構性升級，高頻寬記憶體（HBM）、3D DRAM與客製化記憶體三大技術路線，在AI、高效能運算與邊緣運算需求推動下，將成為未來數年產業焦點。其中，南亞科（2408）客製化產品目標今年底完成驗證，華邦電（2344）CUBE產品則是鎖定海外市場。

法人指出，隨AI伺服器與大型語言模型對記憶體頻寬需求大增，HBM以堆疊式設計大幅提升傳輸速度與能效。國際知名研究機構Yole預估，全球HBM市場規模，將自2024年170億美元放大至2030年的980億美元，年複合成長率高達33％。

SK海力士已出貨HBM4樣品，並計畫今年下半年量產，三星預計年底量產HBM4，美光則規劃明年推出同代產品。

明年起，HBM4／4e將逐步採用晶圓對晶圓（W2W）鍵合，至2028年的HBM5將成為主流。

3D DRAM則為新世代高密度架構。隨平面DRAM製程逼近物理極限，產業轉向立體化，三星、SK海力士、美光等大廠積極布局。

三星布局VCT（垂直通道電晶體）DRAM，外界預估，最快2～3年內見實品；SK海力士展示5層堆疊原型、良率56.1％，並研究IGZO材料，作為記憶體電晶體通道材料，以改善功耗與刷新特性；美光目前亦累積逾30項3D DRAM專利。

此一製程價值鏈，將由光刻轉向高深寬比蝕刻、薄膜沉積與W2W／Hybrid Bonding，東京電子估，鍵合設備可達市場總規模（TAM），將自今年日圓1,000億元增至2030年3,000億元。

第三大趨勢是客製化記憶體加速端側AI落地。台廠華邦電CUBE具高頻寬、低功耗、散熱優化與可客製化，首波鎖定海外穿戴式裝置與輕量AI眼鏡等。

南亞科客製化DRAM，以高密度+3D IC+高頻寬架構整合客戶邏輯晶片，目標今年底完成驗證、明年導入量產，應用涵蓋AI伺服器、AI PC／手機、機器人與車載。

陸廠兆易創新旗下青耘科技，從容量、頻寬、能耗多維度提供方案，已在AI手機、AI PC與車用、機器人等領域拓客順利。