鎧俠停產2D NAND 台廠利多 華邦、旺宏迎接轉單 8110華東 5351鈺創 南亞科 2495普安

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鎧俠停產2D NAND 台廠利多 華邦、旺宏迎接轉單 8110華東 5351鈺創 南亞科 2495普安

2026年4月2日

全球前三大儲存型快閃記憶體（NAND Flash）廠日商鎧俠繼日前參與南亞科（2408）私募後，再拋震撼彈，通知客戶將全面停產平面（2D）NAND晶片，涵蓋浮柵式（Floating Gate）架構與64層BiCS3產品線，客戶需在今年9月30日前完成最後下單。

2D NAND晶片廣泛應用於車載、消費性電子、嵌入式設備、工業工控與眾多長生命周期終端產品，市場需求仍大，台廠中，華邦NAND產品以浮柵式架構為主，成鎧俠退場大贏家，承接最多轉單；旺宏也布局多年，同步受惠。

業界指出，近期記憶體雜音四起，鎧俠先是參與南亞科私募，按讚DRAM後市之後，如今又將退出2D NAND晶片市場，華邦、旺宏有望承接其龐大2D NAND晶片市占，為台灣記憶體廠後市再添底氣。

根據業界流出的鎧俠給客戶通知信，此次鎧俠停產涵蓋範圍廣泛，包含32奈米、24奈米及15奈米製程的SLC、MLC與TLC NAND晶片，並納入2017年前後推出的64層BiCS3 3D NAND產品，供貨形式則從裸晶圓延伸至BGA、TSOP封裝，以及eMMC、UFS與SD卡等模組產品，等於全面退出整個舊世代產品體系。

根據通知，客戶最後下單日為2026年9月30日，最終出貨日為2028年12月31日。業界解讀，此舉反映AI需求帶動資源重分配，原廠將產能集中於高層數3D NAND與高附加價值產品，成熟製程逐步退場。

業界認為，鎧俠退場後，2D NAND晶片市場將出現結構性的龐大缺口，有利於長期深耕該領域的華邦、旺宏等台廠。

華邦目前主力即為浮柵式架構NAND晶片，專注於2D SLC NAND市場，產品容量涵蓋1Gb至8Gb，並廣泛應用於車用電子、工業控制與物聯網設備，其採用46奈米與32奈米成熟製程，強調高耐用度與高溫穩定性，在長時間運作與嚴苛環境下具備明顯優勢。

相較主流Charge Trapping架構，浮柵式架構技術在高溫資料保存能力上表現更佳，使華邦在車用與工控領域建立穩固技術門檻，鎧俠退出浮柵式與相關成熟製程產品，原有客戶勢必尋求替代供應來源，華邦在產品規格與應用場域高度對應，將直接享有轉單效應。

旺宏亦為此波變動的重要受惠者之一。業界指出，旺宏具備19奈米2D NAND製程能力，產品涵蓋2Gb至32Gb市場，並可在SLC與MLC間彈性調整產能。

相較於旺宏兼顧2D與3D NAND晶片布局，華邦長期專注於浮柵式架構SLC NAND的利基市場，產品定位更為聚焦，也使該公司在本次轉單潮中受惠程度更為明確。

儲存型快閃記憶體（NAND Flash）主要可從「結構」與「儲存單元」兩個面向理解。

結構上，2D（平面） NAND屬早期技術，是將儲存單元平面排列在晶片上，隨製程微縮逐漸面臨干擾與良率瓶頸。3D NAND改為「垂直堆疊」，把儲存單元一層層往上堆（如64層、128層），大幅提升容量與密度，同時改善功耗與成本，是目前主流。

SLC / MLC / TLC則是儲存位元數的差異，指「一個儲存單元可存幾個bit資料」。SLC（Single-Level Cell）指一個cell存1 bit，速度最快、壽命最長、最穩定，但成本最高。MLC（Multi-Level Cell）指一個cell存2 bit，容量與成本折衷。TLC（Triple-Level Cell）指一個cell存3 bit，容量最高、成本最低，但速度與耐用度較低。