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iPhone 6 Plus傳出儲存功能出包,手機系統會發生崩潰、不斷重開機等現象。若情況屬實,蘋果很可能會全面召回iPhone 6 Plus手機。(彭博)
2014-11-04 14:18
〔本報訊〕iPhone 6 Plus傳出儲存功能出包,手機系統會發生崩潰、不斷重開機等現象。若情況屬實,蘋果(Apple Inc.)很可能會全面召回iPhone 6 Plus手機。
有業界人士認為,若最後發現TLC flash真的是導致6 Plus系統當機原因,蘋果很有可能會全面收回6 Plus手機。(彭博)
有業界人士認為,若最後發現TLC flash真的是導致6 Plus系統當機原因,蘋果很有可能會全面收回6 Plus手機。(彭博)
《AppleInsider》上個月就曾報導,iPhone 6 Plus只要使用者安裝超過700項應用程式(App)後,手機系統就會發生問題,不斷重新開機。有不少使用者都發生上述的情況,其中以128GB的機種情況最嚴重。
根據南韓媒體《BusinessKorea》昨日報導,蘋果很有可能為了減少大尺寸、大容量機款的成本,選擇了穩定度較差的NAND快閃記憶體,其中的控制IC很有可能就是罪魁禍首。
報導指出,蘋果所採用的快閃記憶體為三階儲存單元(TLC),是一種固態的NAND Flash,每一個快閃媒介單元都能儲存3位元的資料,其容量較單階儲存單元(SLC)、多階儲存單元(MLC)多上2到3倍,資料運算速度卻不如SLC或MLC,因而價格也比較便宜。
據了解,蘋果為節省成本,在蘋果大尺吋新機、最大容量的機款128GB iPhone 6 Plus與其它部分機種,採用了TLC flash。過去iPhone手機通常都使用穩定度較高、但價格也較貴的MLC flash,而TLC flash只會用在部分iPad機種上。
有業界人士認為,若最後發現TLC flash真的是導致6 Plus系統當機原因,蘋果很有可能會全面收回6 Plus手機。
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