三星晶圓代工計畫或確立 目標2019年啟動6奈米製程量產

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三星電子(Samsung Electronics)在接連失去7奈米晶圓代工客戶訂單後，決定以6奈米技術予以反擊，目標2019年投產。2018年空出的7奈米產量缺口，將以10奈米微調的8奈米製程填補。

據韓媒ET News報導，業界消息表示，三星電子認為現階段已錯失爭取7奈米晶圓代工客戶先機，決定傾全力發展6奈米製程，同時添購9台用於量產的艾司摩爾(ASML)極紫外光(EUV)曝光機。

消息人士表示，三星採購的9台極紫外光曝光設備中，有2台會在2017年交貨，其中1台裝設在華城17產線的可能性高。剩餘的7台機器則會安排在2018年，配合7奈米與6奈米製程進度陸續點交。

極紫外光波長為13.5nm，可一次完成7奈米電路圖形。部分業界專家與三星皆認為，必須在主要7奈米製程中使用極紫外光，才能讓晶片體積與生產成本減少。以現有曝光設備從事7奈米晶圓代工，若干製程的曝光作業必須採用四重圖形(Quadruple Patterning)技術，如此一來製程時間增長，引起生產成本上升。

但台積電並未在7奈米製程採用極紫外光，而是以波長為193nm的氟化氬(ArF)準分子雷射(Excimer Laser)搭配浸潤式微影(Immersion Lithography)與高解析度浸潤式曝光機台進行。

據了解，台積電在2018年完成第一階段7奈米製程商用化後，第二階段也會採用極紫外光，量產目標暫訂2019年。亦即，台積電先以過渡時期的7奈米技術取得新客戶後，再回到真正7奈米生產策略。

先前台積電以最少資源研發10奈米製程，相關技術只用來生產蘋果(Apple)iPhone的晶片，之後直接朝7奈米挺進，順利從三星手中搶下高通(Qualcomm)7奈米代工訂單。

面對競爭對手的積極動作，三星決定以更先進的6奈米技術扳回一成。但在進入6奈米之前，還是必須具備7奈米技術，因此三星準備以7奈米製程生產部分自家Exynos晶片，再將研發重點放在6奈米製程。

半導體業界表示，先前三星曾跳過20奈米直接挺進14奈米，如今台積電也跳過10奈米直接朝7奈米發展，在市場上取得先機。三星大量購買EUV曝光設備，讓2019年晶圓代工市場競爭提前飄散煙硝味。



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