性能提升10％？比亞迪電動車明年將可望搭載SiC第三代半導體材料！(5p)

陳仁

 
在日前於浙江省寧波市舉行的新技術發表會上，比亞迪首度發表了影響電動車性能關鍵因素的「絕緣柵雙極型晶體管」（IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor），且應用IGBT 4.0技術，這項與動力電池電芯並稱為電動車關鍵「雙芯」的技術，不但可直接驅動系統交直流電轉換，且因為佔電動車整車成本達5％，更將決定未來電動車的最大輸出功率與扭力表現。

 
不過最令人驚訝的是，比亞迪在這場發表會上，同時宣佈已經成功研發SiC MOSFET（汽車功率半導體），最快將於明年推出搭載SiC電控技術的電動車，這第三代半導體材料，將全面替代矽基IGBT，預計將讓電動車整車性能表現提升10％。

此外，比亞迪已經鉅額投資這第三代半導體，除致力於降低製造成本，也將將整合材料（高純碳化矽粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業供應鏈，比亞迪表示，SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續迭代更新的新一代殺手級應用，更將為新一代電動車在加速、續航等性能指標領先對手。

根據統計資料顯示，2015-2017年間比亞迪已經連續三年蟬聯全球新能源汽車銷量冠軍，而今年年初更喊出年銷20萬輛的目標，累積1-10月份光新能源乘用車就已經賣出16.3萬輛，此外在全球純電大巴也依舊穩居銷售與市佔率冠軍，且持續推動包括輕型商業車與各特種商業車的純電動化進程。