8091翔名打入台積EUV鏈 3680家登

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8091翔名打入台積EUV鏈 3680家登

2020-07-23

半導體設備廠翔名（8091）切入台積電5奈米極紫外光（EUV）光罩盒表面處理業務，與EUV光罩盒大廠接洽合作機會，以獨家專利無電鍍鎳（ENP）表面處理技術來提升產品良率，目前該光罩盒廠正進行評估測試，未來獲台積電EUV製程指定產品入場門票機會大增。

為跨入5奈米EUV光罩盒業務，翔名積極接觸光罩盒大廠尋求合作契機，提供無電鍍鎳／化學鎳（ENP，Electroless Nickel Plating）表面處理專利技術，可在金屬或塑料等固體基材表面上沉積一層均勻的鎳磷合金，使其EUV光罩盒不沾染、減少微粒工序，延長產品生命周期。

據悉，該光罩盒大廠持同業成長共榮、樂觀其成的開放態度進行評估測試，由於該專利技術已累積多家半導體設備腔體表面處理經驗，翔名有機會藉此切入5奈米EUV製程供應鏈。

法人預估，一旦取得EUV光罩盒表面處理業務，以台積電光罩盒替換需求在近萬套水準，加上後續4奈米及3奈米陸續量產需求，翔名2021年營運表現值得期待。

此外，下半年是翔名蝕刻機非金屬零件正進入出貨高峰期，隨著台積電上調2020年資本支出照160億美元至170億美元，並明確表達客戶產能需求強烈，主要投資於5、7奈米產能擴增及3奈米研發，全球半導體設備廠喜出望外，兩大國際設備指標廠美商應材、荷商艾司摩爾下半年將搶食商機。

應材因應台積電擴產需求，下半年蝕刻機訂單暴增，對金屬與非金屬耗材零件緊急拉貨，翔名為應材設備機台非金屬件主要供應商，亦是台灣設備機台維護支援廠商，及台積電認證供應鏈成員之一，優先受惠這一波資本支出紅利。

翔名為增加大客戶耗材、零件供應量，已於2018年取得新竹香山區土地，並於2019年上半年動工興建新廠擴增半導體產能，新產能於今年開出，新廠將原在國外生產的高階關鍵性零組件，成功移轉到國內生產，2020年半導體相關耗材營收比重可再增加。

此外，台積電南京廠進入運轉高峰，翔名也在南京設立生產據點，除了就近服務大客戶需求，並爭取中國半導體製造市場成長的商機。翔名昨天股價漲2.8元、收83.7元。

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劉德音：台積3奈米進度超前 3680家登 7556意德士 8091翔名 公準

2021年2月19日

【時報-台北電】晶圓代工龍頭台積電(2330)報喜！董事長劉德音近日受邀於2021年國際固態電路會議（ISSCC 2021）開場線上專題演說時指出，台積電3奈米製程依計畫推進，甚至比預期還超前了一些，3奈米及未來主要製程節點將如期推出並進入生產。台積電3奈米製程預計今年下半年試產，明年下半年進入量產。

劉德音在演說時雖未透露3奈米進度會超前多少，但此一消息仍令市場感到振奮。

劉德音董事長以「釋放創新未來（Unleashing the Future of Innovation）」為演說主題，指出半導體製程微縮腳步並未減緩，摩爾定律仍然有效，台積電3奈米比預期進度超前，至於2奈米之後的電晶體架構將轉向環繞閘極（GAA）的奈米片（nano-sheet）架構，而極紫外光（EUV）技術可支援到1奈米。

劉德音指出，半導體整合每踏出成功的一步，都需要付出愈來愈多的努力，而半導體技術剛推出時，雖然只有少數人採用，但是最後成果會是由大眾享受，「台積電製程及製造能力可以讓世界上多數人受益」。

台積電2020年推出5奈米製程並進入量產，與7奈米相較，邏輯密度提升1.83倍，運算速度增加13％，運算功耗下降21％。台積電預計2022年推出3奈米製程，與5奈米相較邏輯密度提升1.7倍，運算速度提升11％且運算功耗可減少27％。

劉德音也提及EUV微影技術的重要性與日俱增，他指出，EUV雖突破晶片尺寸限制，能使用較少層數的光罩，但產量仍是問題。相較於過去採用的浸潤式微影技術，EUV的功耗明顯提高，為此台積電已在350W雷射光源技術上獲得突破，可支援5奈米量產，甚至能支援到更先進的1奈米製程節點。

台積電基於量產上的考量，5奈米及3奈米仍然採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，但在材料創新上有所突破，在5奈米製程導入高遷移率通道（HMC）電晶體，將鍺（Ge）整合到電晶體的鰭片（fin）當中，導線也採用新一代的鈷及釕等材料來持續挑戰技術限制。至於2奈米之後，台積電將轉向採用GAA的奈米片架構，提供比FinFET架構更多的靜電控制，改善晶片整體功耗。

台積電日前宣布將在日本成立研發中心擴展3D IC材料研究，劉德音也提及台積電在新材料上的技術創新，包括六方氮化硼（hBN）已接近實現量產，與台灣學界團隊合作成功以大面積晶圓尺寸生長單晶氮化硼等。他也指出，系統整合是半導體未來發展方向，Chiplet（小晶片）是能讓技術朝向正確方向發展的關鍵，而台積電的SoIC先進封裝技術可實現3D晶片堆疊。

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應材讚後市 5檔概念股沾光 京鼎、帆宣、8091翔名 瑞耘、3178公準

工商時報  2021.02.22

受惠於晶圓代工廠及記憶體廠擴大資本支出，加上數位轉型加速及5G應用遍地開花，半導體設備大廠美商應用材料看旺今年半導體及OLED設備強勁需求。應用材料總裁暨執行長蓋瑞．迪克森（Gary Dickerson）在法說會中表示，長期來看，數位轉型及人工智慧（AI）大趨勢將成為未來幾年半導體設備需求強勁成長動能，OLED面板由手機延伸至電腦及電視亦帶來新商機。

應用材料看好今年晶圓代工廠及記憶體廠對半導體設備強勁需求，合作夥伴看旺今年營運。法人表示，包括連續五年獲得應用材料最佳供應商獎的京鼎（3413）、OLED面板設備模組供應商帆宣（6196）、零組件及備品供應商翔名（8091）及瑞耘（6532）、精密零組件代工廠公準（3178）等應用材料合作夥伴將直接受惠。

蓋瑞．迪克森表示，隨著總體經濟和產業趨勢引燃半導體在廣泛市場與應用面不斷成長，在應用材料2021年會計年度第一季中，已看見半導體業務的需求持續攀升。應用材料全公司擁有強大的動能，隨著廣泛的產品組合以及技術轉折的展現，加上新產品的牽引力，使應用材料地位絕佳，在2021年及未來都能持續大幅超越市場。

應用材料2021年會計年度第一季營收達51.62億美元創下歷史新高，非通用會計準則（Non-GAAP）每股淨利1.39美元。應用材料預期，5G智慧型手機的矽含量（silicon content）增加，資料中心提高資本支出及AI應用趨於普及，將持續帶動晶片需求成長及半導體投資增加。應用材料預估第二季合併營收中間數約53.9億美元續創新高紀錄，每股淨利中間值將達1.5美元。

應用材料看旺今年半導體設備強勁需求動能。由於新冠肺炎疫情加速數位轉型，5G應用成長加速，帶動智慧型手機、個人電腦、遊戲機等銷售，加上車用晶片缺貨帶動產能需求，看好今年晶圓代工廠在先進及成熟邏輯製程強勁投資動作，記憶體廠今年在DRAM的資本支出成長幅度將大於NAND Flash，備品及服務營收表現將明顯優於去年同期。

法人表示，後疫情時代的總體經濟復甦，資訊科技及通訊基礎建設的投資增加，將更依賴半導體帶來的創新改變，隨著數位轉型加速及5G手機出貨放量，將會帶動更強勁的晶圓代工廠及記憶體廠的設備需求。台積電將全年資本支出大舉提高至250～280億美元，三星及美光等記憶體廠今年加速製程微縮及擴產，對半導體設備需求強勁，應用材料看旺今年市場，合作夥伴將同步受惠。