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第三代半導體 功率元件新主流 5347世界 3707漢磊 3016嘉晶
2021-09-30 工商時報
新冠肺炎疫情衝擊全球車市,但卻加速電動車的發展,隨著特斯拉、奧迪、豐田等一線車廠的新款電動車進入量產,加上美國及歐盟已確定政策上要求提高電動車銷售比重,電動車功率元件需求大爆發,包括氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代寬能隙化合物半導體,已經大量應用在電動車的電力系統。
另外,第三代化合物半導體的高頻高壓、高能源轉換效率等特性,讓GaN及SiC開始被大量應用在5G電信基礎建設及射頻元件,GaN也成為手機快充的重要解決方案之一。業界看好GaN及SiC將成為未來功率元件新主流,並預期隨著晶圓製造成本逐年大幅降低,智慧型手機、筆電及平板電腦、物聯網、車用電子的電源系統都會導入GaN或SiC方案。
業者分析,第三代化合物半導體製程除了耐高電壓、低導通電阻、低切換損失等特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢,適合電動車或5G應用。國內業者近年來亦積極投入相關技術研發及產能布局,包括台積電結盟意法半導體搶攻GaN市場,第二代650V和100V的E-HEMT已全產能量產,世界先進與客戶合作開發8吋GaN製程將在年底小量出貨。
再者,漢磊及嘉晶投入GaN及SiC技術研發多年。在晶圓代工部份,30V~350V電壓6吋矽基GaN製程進入量產,600V~1200V電壓4吋SiC製程及1700V電壓6吋SiC製程產能已順利開出。在磊晶圓部份,矽基GaN磊晶完成650V電壓技術開發,1700V及3300V電壓SiC磊晶平台也已完成建置。 |
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