SOGO論壇
  登入   註冊   找回密碼
查看: 587|回覆: 0
列印 上一主題 下一主題

[財經動態] 產業專題—銅退光進趨勢下的矽光子材料和市場展望 Memo 20240628 [複製連結]

Rank: 13Rank: 13Rank: 13Rank: 13

狀態︰ 離線
跳轉到指定樓層
1
發表於 2024-6-28 22:36:10 |只看該作者 |倒序瀏覽
國泰證期研究部
產業專題—銅退光進趨勢下的矽光子材料和市場展望
Memo
20240628

一、矽光子技術路線與市場趨勢
1. 光纖傳輸vs.銅傳輸:光纖傳輸頻寬高、損耗低、不易受電磁波干擾、傳輸距離遠,隨AI Data center發展受市場矚目,Transceiver為最重要裝置。流程:Server/Switch電訊號→可插拔式Transceiver電轉光→光纖→可插拔式Transceiver光轉電→Server/Switch電訊號。

2. EIC、PIC由不同供應鏈生產封裝,最後交由模組廠連接組裝。

3. 傳統vs.矽光子Transceiver:矽光子Transceiver整合在矽晶片上、損耗低、整合程度高、自動化程度高、產品信賴度高、技術門檻高、成本隨傳輸速度增加更具效益。據傳Google已在最新Data center部署800G矽光子Transceiver。

4. 最大挑戰:如何整合PIC?特別是雷射和光放大器的Ⅲ-Ⅴ族化半,磊晶結構難在矽晶圓堆疊。3種方式:
1) Die to wafer bonding:流程:Ⅲ-Ⅴ族晶圓做PIC die→矽晶圓線路設計→PIC die bonding在矽晶圓→蝕刻等程序。優點:不用精準對位、整合程度高。缺點:技術門檻高、需設新產線。代表:Intel、SCINTIL Photonics、Skorpios。
2) Flip-chip integration:流程:Ⅲ-Ⅴ族平台製作完整雷射晶片→雷射晶片倒裝並焊接於矽晶片。優點:技術簡單、可在現產線生產。缺點:需精準對位、生產效率低。代表:Cisco(Luxtera)、AMF。
3) Transfer printing:流程:Ⅲ-Ⅴ族平台製作完整雷射晶片→Stamp橡膠Pick-and-place,一次大量轉移雷射晶片至矽晶片。優點:提升Flip-chip intergration效率。缺點:尚未有成熟設備。代表:Imec、X-Celeprint。

5. 遠端雷射模組vs. MI(Monolithic integration):
1) 遠端雷射模組:流程:雷射獨立封裝模組化→其他元件整合在矽晶片→與雷射模組連接。優點:較易生產、可避免EIC溫度影響波長、雷射易更換。缺點:體積難微縮、功耗難下降、光纖連接數多且複雜。代表:Cisco、Broadcom、Ayar Labs。
2) MI:流程:利用應力緩衝層在矽晶圓上堆疊Ⅲ-Ⅴ化半材料→同片晶圓完成EIC/PIC結構。優點:高度整合、損耗最低。缺點:技術難度最高且雷射效率差,雖是終極目標,目前仍處學術研發階段。代表:Tower、Quintessent、Juniper、Imec、IQE。

6. NV Blackwell 3Q24放量,4Q24 CSP開始使用,接口配置400G/800G,2025有機會1.6T,許多模組廠商加速開發,加速高階Switch/Transceiver滲透。中國中際旭創提到4Q25量產1.6T。

7. 目前狹義CPO難度仍高,OBO/NPO較常被採用,其中NPO較受青睞,因傳輸距離較短、基板面積較小(性能升級成本較低)。

8. Broadcom Switch ASIC市佔領先,目前CPO採NPO、遠端雷射模組方式,商用時程較快,宣稱可降低至少30%功耗,據市調ASIC採TSMC N5、8 SiPh engine,光纖接口由TE Connectivity和Ranovus合作開發,遠端雷射模組與眾達合作開發。Intel則致力於雷射整合技術(具專利壁壘)。

9. 最終希望轉Optical I/O。Intel OCI採3D封裝將PIC倒裝在EIC上並透過TSV做訊號連接。Ayar Labs Optical I/O產品已進小量驗證階段,商用進度領先,TSMC、NV、Intel、HPE、GlobalFoundries皆有投資。

10. Samsung計畫2027提供涵蓋CPO技術的一站式AI Solution。

11. 「異質整合」、「先進封裝」為矽光子未來發展重點。整合體積、傳輸損耗優劣:MI > 3D TSV > 2.5D stack > 2.5D interposer > Wire bonding。TSMC計畫2025推COUPE pluggable(2.5D stack),2026推CoWoS CPO(3D TSV)。

12. 矽光子滲透路線:Optical transceiver→CPO→Optical I/O。應用從Communication拓展至HPC、Sensing領域。討論度高的為健康感測,一般使用SWIR波段偵測葡萄糖、酒精,有很大應用潛力。

13. 預估2022-2027全球矽光子裸晶片市場CAGR +48.2%,Datacom為主要驅動力。2027規模144.4億TWD(Datacom 134.2億、Telecom 5億、Others 5.2億)(Others佔比:CPO 64%、Optical I/O 15.1%、Optical computing 12.7%、LiDAR&FOG 5%、Bio-sensor&medical 3.2%)。

14. CPO何時快速滲透?觀察4指標:
1) Broadcom出貨。其說法為2H24出貨(應是驗證,不是量產)。
2) NV採用態度。NV併購Mellanox後就可做自己規格,有聽說對CPO有些合作但尚無相關產品時間點,若NV卯起来做會比Broadcom處於更有利位置。
3) 4大CSP採用態度。最有本錢購買最高階資料中心、相關揭露也較多,目前有2家對CPO表態,但未正式使用。
4) 可插拔式Transceiver可發展程度。1.6T應無太大問題,預計2H25量產,通常走2年,3.2T應2027開始,2027為觀察 3.2T vs. CPO 時間點。

15. 2023 Yole Intelligence預估2022-2028 800G/1.6T可插拔式Transceiver Datacom出貨量快速成長。

二、矽光子關鍵元件及材料解析
1. 雷射發光波長取決於材料能隙大小,~850nm用GaAs,~1310nm、~1550nm用InP。3雷射型態:
1) 近距:GaAs的VCSEL(3m-100m)。
2) 遠距:InP的DML(100m-10km)/EML(>10km)。EML為DML+電致吸收調變器。

2. 隨Data center傳輸速度增加,銅纜DAC恐限縮在Rack內部(<5m),光傳輸更加吃重。銅纜+DSP晶片可傳較遠但仍約在10m。

3. 為製作光波導通道,矽光子晶圓基板採SOI wafer,為上下2層Si中間夾1層BOX(低折射率SiO2氧化層),使光能全反射。矽光子SOI wafer要求翹曲度低、表面平整、每層厚度均一,Soitec藉Smart Cut專利技術加快效率、提升品質,全球薄形SOI wafer多由Soitec供應。

4. 調變器(把數位訊號轉為光訊號)為決定單通道傳輸速度關鍵。3種方式:
1) MZM:將入射光分成2個等亮度光,控制相位差後將2波合併,疊加=1,相消=0。優點:可操作波長較廣、熱穩定性高。缺點:體積大。代表:Cisco。
2) MRM:Micro ring外加電壓使波長移動,代表0→1。優點:驅動電壓低、體積小。缺點:技術難度高,波長控制需<1nm。代表:Intel、Skorpios、Ranovus。
3) EAM:施加電壓下能隙變小,改變光強度。優點:GeSi/SiGe易在矽晶圓上製作。缺點:工作波長多在1565-1625nm。代表:Mellanox、Imec。

5. 矽光子瓶頸:
1) 光耦合器(Coupler):光波導(nm)與光纖(µm)尺寸差異大,損耗大。
2) 光接收器(Photodiode):Ge易與Si整合最常被使用,但有漏電問題。
3) 測試:探針光耦合難度高,相關設備及標準發展中。

三、矽光子供應鏈競合分析
1. 全球矽光子應用Datacom>Telecom,其中2022 Datacom Optical Transceiver出貨金額佔比:Intel 62.5%、Cisco 18.1%。10M23 Intel將矽光子光收發器業務出售給Jabil,後續持續提供Jabil技術支援,把研發重心轉往Optical I/O。此外也認為矽光子對Intel來說營收偏低、矽光子未來競爭者會愈來愈多,不如選擇在情況好時賣掉,反正值錢的技術、專利仍在手上。

2. 2023 Yole Intelligence調研2023 Datacom乙太網傳輸出貨數量中SiPh僅佔5%,預估2024滲透率才明顯上升。

3. 供應鏈關係:
1) 因目前滲透率偏低,供應鏈多為互相研發合作、小批量代工、測試驗證,但未來將隨需求上升朝向專業分工。
2) 產業附加價值往上游晶片設計/製造移動,下游模組廠邊緣化。中國模組廠已在進行矽光子上游晶片設計併購,因中國下游模組市佔高,但矽光子技術缺乏。
3) 新加入Si半導體業者會併購光學廠商,因矽光子為跨領域應用。

4. 近期大廠佈局重點:200G單通道雷射、1.6T光收發模組、矽光子。

QA
1. NPO Laser放板外是Broadcom作法,Laser是否升級不確定,不過個人認為應有不同變動型,可能只留Laser、光放大器、光纖相關接頭,其他能跟矽晶圓整合的都會整合在裡面。

2. 可插拔 vs. CPO成本比較是雞生蛋蛋生雞問題,Broadcom說這麼好但誰要先當白老鼠?需要CPO實際大量運轉後才有數據證明成本比現有可插拔低。

3. SiPh engine若損壞是否可單獨更換而不動到ASIC?有廠商考慮做一個socket但目前沒看到實際例子。

4. 在NV生態系是否看到矽光子相關產品?目前沒看到NV相關產品、時間點,業者拜訪下有透露和TSMC或相關業者合作,細節不知,不過併購的Mellanox過去也已有相關佈局。個人認為NV顯然目前不急。

5. Broadcom等廠商如何說服CSP使用其解決方案?回歸雞生蛋蛋生雞,要證明其CPO交換器能耗降低、延遲降低、信賴度提升、省電效率皆遠大於被壟斷、不易更換的風險,但這需大量生產實例才可證明。所以還是觀察快速滲透4指標:1) Broadcom出貨、2) NV採用態度、3) 4大CSP採用態度、4) 可插拔式Transceiver可發展程度。

(*僅供本公司內部同仁參考使用,非經本公司事先書面同意,不得轉發或轉載第三人)
喜歡嗎?分享這篇文章給親朋好友︰
               感謝作者     

請注意︰利用多帳號發表自問自答的業配文置入性行銷廣告者,將直接禁訪或刪除帳號及全部文章!
您需要登錄後才可以回覆 登入 | 註冊


本論壇為非營利自由討論平台,所有個人言論不代表本站立場。文章內容如有涉及侵權,請通知管理人員,將立即刪除相關文章資料。侵權申訴或移除要求:abuse@oursogo.com

GMT+8, 2025-4-29 05:53

© 2004-2025 SOGO論壇 OURSOGO.COM
回頂部