南亞科、華邦電 躍DDR4供應主力 3135凌航 5351鈺創 晶豪科 宜鼎

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南亞科、華邦電 躍DDR4供應主力 3135凌航 5351鈺創 晶豪科 宜鼎

2025.10.17  

三大原廠DRAM新產能集中高頻寬記憶體（HBM）及先進製程產品，傳統DDR4供應進一步下滑，台廠南亞科與華邦電成為全球DDR4市場的關鍵穩定力量。

法人調查，三星主導全球DRAM擴產布局，其P3L廠預計至2026年底可提升至每月11.5萬片；P4L廠預計2025年第3季完工、第2期於2026年第2季投產，屆時總產能達6萬片；而P5L新廠則於2025年10月復工，預定2027年底量產。三星聚焦於1c奈米與HBM4世代產品，擴產步調審慎。

SK海力士韓國M15X廠今年第4季初完工，主要用於HBM3E與HBM4量產。由於HBM需求強勁，該公司優先將資源配置高階封裝與垂直堆疊，以鞏固其在AI伺服器供應鏈地位。

美光新產能多延後開出，台灣A3（P2）廠二期轉型先進封裝線，美國Boise廠第一階段已完成、預計2027年量產，日本廣島廠計畫新增2.5萬片月產能，預定2027年底投產。擴產時程顯示，美光將2026年前的投資重心放在HBM與封裝整合，而非傳統DRAM擴張。

鎧俠NAND新產能進度保守。日本Fab 7第二期雖可生產162層NAND，但量產延後；K2廠2025年10月完工，將導入第8代NAND，用於AI伺服器、PC與手機應用。

台廠供貨占比正快速上升，南亞科技5A廠月產能約6萬片，已完成舊線轉換至1B／1C奈米製程，穩定供應DDR4與利基型DRAM。

華邦電高雄KH廠從25奈米轉進20奈米製程，第一期產能1.5萬片／月，將擴充DDR4與特殊應用產品供應。兩家廠商在DDR4供給收縮之際，成為關鍵支撐力量。

長江存儲於武漢的三座晶圓廠（Fab 1～Fab 3）預計2026年前後全面量產，單月總產能可望突破20萬片；長鑫存儲在合肥與北京二期廠續擴產能，2026年預估合計月產能16萬片，兩大陸廠持續鞏固中低階DRAM與NAND市場。

整體來看，在2026年前，全球DRAM產能增幅有限。韓、美、日廠多聚焦於HBM及先進製程轉換，傳統DDR4與一般DRAM供應將持續緊俏。