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美光、鎧俠領軍 記憶體族群前景看俏 群聯 華邦 南亞科 威剛 5351鈺創 2495普安 旺宏
2026.06.22
生成式AI與Agentic AI快速發展,市場聚焦美光將於美東時間24日公布第三季財報;同時,日本NAND大廠鎧俠(Kioxia)今年來股價大漲逾九倍,也反映市場正以自由現金流角度重新評價記憶體產業,族群有望同唱凱歌。
台廠記憶體業者可望雨露均霑,其中,群聯受惠AI SSD與NVIDIA Rubin平台布局,南亞科受惠DDR5 RDIMM及LPDDR5新應用,華邦電則受惠DDR4、NOR及SLC NAND全面漲價,NOR Flash近期更傳出打入輝達供應鏈,可望在Vera Rubin平台取得市占率。
法人指出,2026年AI與伺服器將消耗全球66%的DRAM供應量,其中AI相關應用占比達55.3%,包括HBM、GDDR及高階DDR產品。另一方面,AI資料中心帶動企業級SSD需求快速攀升,市場也開始重新評價NAND產業價值。以日本NAND大廠鎧俠為例,在資本支出維持紀律、長約(LTA)出貨比重提升下,市場預期未來數年自由現金流將顯著成長。
NAND方面,受惠AI推論帶動Enterprise SSD需求快速增加,2027年企業級SSD將占全球NAND需求近5成,加計傳統伺服器、AI PC及邊緣運算後,超過半數NAND產出將流向AI基礎建設。
法人指出,市場目前過度聚焦HBM與DDR5,但DDR4同樣是AI基礎建設不可或缺的一環。由於每顆企業級SSD控制器,仍需搭配DDR4作為Buffer,隨資料中心持續擴建,DDR4需求同步成長。
加上三星、美光及SK海力士陸續淡出部分DDR4產品線,市場供給進一步收縮,使DDR4價格維持強勁漲勢。
供給面則面臨結構性瓶頸。法人認為,AI時代的記憶體技術升級已從單純製程微縮,轉向高度依賴先進封裝。無論HBM的Hybrid Bonding、SOCAMM與RDIMM的TSV技術,或NAND V10導入Wafer-to-Wafer混合鍵合,都大幅提高擴產難度。
未來3D DRAM、HBM5、HBF等新產品亦將持續依賴先進封裝,限制產能擴張速度。 |
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